Finanzen / Bilanzen
InnoScience treibt Entwicklung von GaN-Bauelementen mit mehreren MOCVD-Anlagen von AIXTRON voran
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, wird mehrere AIX G5+ C MOCVD-Anlagen an InnoScience Technology Co. Ltd. (China) für die Entwicklung von GaN-(Galliumnitrid)-Leistungsbauelementen liefern, die aufgrund ihrer überlegenen Leistung bei hohen Frequenzen in verschiedenen Anwendungen zunehmend die Si-(Silizium)-Leistungsbauelemente verdrängen. Alle Anlagen-Cluster von AIXTRON Weiterlesen…







